晶智光电申请锑化铟晶体生长方法专利，提升晶体生长质量
创始人
2026-09-04 20:54:11
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国家知识产权局信息显示，广东晶智光电科技有限公司申请一项名为“锑化铟晶体的生长方法”的专利，公开号CN122687335A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：S1，利用铟锭:锌粉:锑块=1kg:0.01kg:1.06kg的比例，在525℃下熔融合成含锌的锑化铟母合金，将该含锌的锑化铟母合金破碎成直径5mm以下的含锌的锑化铟合金颗粒；S2，在生长炉内利用提拉法将固定有籽晶的拉晶杆从石英坩埚的InSb熔体表面浸入，之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长，其中，InSb熔体由InSb料熔融获得，InSb料含有作为掺杂剂的处于ppm的杂质级别的碲；S3，锑化铟晶体生长进入等径程序后，在不打开生长炉的情况下，通过生长炉设置的颗粒输送机构以含锌的锑化铟合金颗粒:晶体生长重量=(5‑15)g/1kg的速率匀速向石英坩埚内投入含锌的锑化铟合金颗粒；S3，降温、置换生长炉内的气体为氮气后，打开生长炉，将晶棒从拉晶杆上剪下。
天眼查资料显示，广东晶智光电科技有限公司，成立于2024年，位于清远市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东晶智光电科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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