南亚科技申请存储器装置和其制造方法专利，减少存储器装置的阈值电压
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2025-09-26 00:34:24
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金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置和其制造方法”的专利，公开号CN120456608A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本公开的一些实施例提供一种存储器装置和其制造方法。方法包括在第一基板区域上形成磊晶层且暴露第二基板区域、在磊晶层和第二基板区域上形成高介电常数介电层、在第一基板区域上方的高介电常数介电层上形成第一牺牲层且暴露第二基板区域上方的高介电常数介电层、在第一牺牲层和高介电常数介电层上形成金属层、执行退火工艺以形成第二基板区域上方的高介电常数介电层中的掺杂区域、在高介电常数介电层上形成栅极电极层和栅极覆盖层，及将栅极覆盖层、栅极电极层和高介电常数介电层图案化成磊晶层上方的栅极结构和掺杂区域上方的栅极结构。第一牺牲层阻挡第二晶体管中的金属元素扩散进第一晶体管中，因此可以减少存储器装置的阈值电压。

来源：金融界

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