镓楠半导体申请氮化镓功率器件专利，芯片有效面积显著提升
创始人
2026-01-01 21:38:18
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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓功率器件”的专利，公开号CN121240542A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓功率器件，包括：外延结构、形成在外延结构上方的器件层和形成在器件层上方的第一金属层；器件层包括多个器件单元，每个器件单元包括栅极条、源极条和漏极条；第一金属层包括多个第一金属单元，每个第一金属单元包括栅连接线、源连接线和漏连接线。本申请实施例中的栅连接线的数量可以根据需要设置，因此可以根据栅极总电阻来对栅连接线的数量以及栅连接线之间的间隔进行调整。栅连接线可以缩短进入各个栅极条的距离，因此可以将栅极总电阻设置为较低值。由于栅极总电阻可以控制在较小值，因此有源区不需要被打断，Gate Bus不占芯片面积，芯片有效面积显著提升，降低Rg的同时，Ron,sp降低。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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