珠海楠欣半导体半导体申请静电防护器件及其制备方法专利，实现外挂电阻的技术方案
创始人
2026-01-16 12:37:50
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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备”的专利，公开号CN121335213A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备，涉及半导体技术领域，所述静电防护器件包括：晶体管；所述晶体管的栅极包括电阻调制区，且所述电阻调制区通过导电结构与所述晶体管的源极相连接；其中，所述电阻调制区用于产生寄生电阻，并通过所述寄生电阻限制所述栅极与所述源极之间的瞬态电流。本申请用于提供一种通过在栅极中形成电阻调制区，以通过引入额外的寄生电阻的方式，实现外挂电阻的技术方案。
天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息231条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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