华为申请冷源和负电容场效应晶体管专利，降低晶体管的功耗
创始人
2026-01-19 19:12:12
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“冷源和负电容场效应晶体管及方法”的专利，公开号CN121359607A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，提供了一种晶体管(200a)，包括源极区、漏极区、沟道和栅极。所述源极区具有硅化物区(224)和掺杂有第一掺杂剂类型的半导体区(222n)；所述漏极区(206p)包括掺杂有第二掺杂剂类型的半导体；所述沟道(208p)位于所述源极区和所述漏极区之间；所述栅极(210)位于所述沟道上方，包括铁电材料(216)；所述硅化物区位于所述半导体区和所述沟道之间。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。
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来源：市场资讯
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