浙江创芯申请半导体后段互连结构专利，改善金属互连线击穿电压偏小的问题
创始人
2026-01-31 22:42:41
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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体后段互连结构、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121443058A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体后段互连结构、半导体结构及其制备方法，在制备后层金属互连层及相应的金属互连孔的过程中，通过将介质层分为三层，第一介质层、第二介质层及第三介质层，将第二介质层设置为所需形成的互连凹槽的刻蚀停止层，且设置第二介质层的抗刻蚀能力大于第一介质层，从而在刻蚀去除互连通孔及互连凹槽底壁电阻值较大的阻挡层时，由于第二介质层相对第一介质层更耐刻蚀，会明显减弱刻蚀过程中对互连凹槽底部介质层的刻蚀穿通，抑制微沟槽的形成，得到底壁平坦的互连凹槽，从而在填充金属材料后形成底壁平坦的金属互连线，改善金属互连线击穿电压偏小的问题，提升金属互连可靠性和寿命，提高产品性能。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目274次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息555条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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