芯迈半导体申请功率器件及其制造方法专利，提升了器件的击穿电压
创始人
2026-02-28 15:14:43
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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN121586273A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；阱区，位于外延层中，阱区位于外延层远离衬底的一侧，阱区中设置有源区；栅极，位于外延层上方，经由栅极介质层与外延层隔离；其中，外延层中设置有绝缘介质区，绝缘介质区位于阱区下方。通过在外延层中的关键区域引入绝缘介质区，有效重构了器件阻断状态下的电场分布，提升了器件的击穿电压，增强了器件在高负载应用场景下的可靠性和稳定性。
天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息215条，此外企业还拥有行政许可8个。
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