争妍微电子申请一种碳化硅MOS栅极驱动电路专利，通过驱动芯片配合自举电容的电路设计，为高边功率管（Q1,Q2）的栅极提供了高于电源电压的驱动电平，确保了其可靠导通，提供稳定的驱动电压_电池问答

争妍微电子申请一种碳化硅MOS栅极驱动电路专利，通过驱动芯片配合自举电容的电路设计，为高边功率管（Q1,Q2）的栅极提供了高于电源电压的驱动电平，确保了其可靠导通，提供稳定的驱动电压

创始人

2026-03-04 17:19:10

0次

国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOS栅极驱动电路”的专利，公开号CN121602978A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于电力电子技术领域，具体为一种碳化硅MOS栅极驱动电路，包括电容C1、二极管D1、电容C3、电容C7、上桥臂功率管Q1、上桥臂功率管Q2、下桥臂功率管Q3、下桥臂功率管Q4、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电阻R1、电阻R3、电阻R10、电阻R15、电阻R21、驱动芯片U4，通过半桥结构允许对输出进行高频开关控制，从而精确调节输出电压或电流，满足电机驱动等应用的需求，实现灵活精确的控制；通过驱动芯片配合自举电容的电路设计，为高边功率管（Q1,Q2）的栅极提供了高于电源电压的驱动电平，确保了其可靠导通，提供稳定的驱动电压。

天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息17条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

电平栅极高边驱动电压电阻电容碳化硅专利二极管上桥臂电阻R

上一篇：翱捷科技：公司第一颗5G智能SoC芯片已经回片在测试中

下一篇：昆山国显光电申请显示面板及其制备方法和显示装置专利，提高产品良率

争妍微电子申请一种碳化硅MOS栅极驱动电路专利，通过驱动芯片配合自举电容的电路设计，为高边功率管（Q1,Q2）的栅极提供了高于电源电压的驱动电平，确保了其可靠导通，提供稳定的驱动电压

相关内容

热门资讯