大鹏半导体申请沟槽隔离型PN结及其制备方法专利，缩小半导体器件的整体面积
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2026-04-04 19:34:31
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国家知识产权局信息显示，安徽大鹏半导体有限公司申请一项名为“沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件”的专利，公开号CN121793743A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件，其中，该方法包括：提供衬底；沿第一方向，在衬底的一侧形成外延层；第一方向为衬底的厚度方向；沿第一方向，对外延层远离衬底的一侧进行掺杂处理形成掺杂区；沿第二方向，在掺杂区的两侧形成隔离结构；第二方向为平行于衬底所在平面的方向；隔离结构贯穿外延层，并延伸至衬底内；对掺杂区和隔离结构进行退火处理。本发明在避免沟槽刻蚀对PN结破坏的同时，减少了因考虑掺杂杂质横向扩散而预留的半导体器件的面积，从而缩小了半导体器件的整体面积，增加了半导体器件的良率和可靠性。
天眼查资料显示，安徽大鹏半导体有限公司，成立于2021年，位于马鞍山市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽大鹏半导体有限公司参与招投标项目8次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可9个。
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来源：市场资讯
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