南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，改善漏电流问题
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2026-05-16 18:13:29
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122054586A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构。此半导体结构包括基板和金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器。MIM电容器包括底部电极、阻挡界面层、介电层和顶部电极。底部电极位于基板上，其包含氮化钛硅。阻挡界面层位于底部电极上，在对阻挡界面层进行X射线光电子能谱分析中，超过50%的Ti2p峰信号对应于氧化钛，10%‑20%的Ti2p峰信号对应于氮氧化钛。介电层位于阻挡界面层上，其包含高介电常数（高K）介电材料。顶部电极位于介电层上。此半导体结构能降低氧吸收效应，进而减少氧空位，改善漏电流问题。
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来源：市场资讯
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