甬矽半导体申请5D桥联封装结构专利，有利于缓解寄生电感产生漏电现象导致布线层之间短路、过热等现象
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2026-06-20 09:15:44
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D桥联封装结构”的专利，公开号CN122249060A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D桥联封装方法和2.5D桥联封装结构，涉及半导体技术领域。该2.5D桥联封装结构中，转接板具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设有第一连接端，第二表面设有第二连接端。桥联部具有相对设置的第三表面和第四表面，第三表面设有第三连接端，第四表面设有第四连接端。第一芯片跨接转接板和桥联部，第一芯片分别与第一连接端、第三连接端电连接。第四连接端连接有功能件。绝缘体填充转接板和桥联部之间的间隙。介电层设有第五连接端，第二连接端与第五连接端电连接，介电层设于绝缘体表面或设于转接板远离绝缘体的一侧。该结构有利于缓解寄生电感产生漏电现象导致布线层之间短路、过热等现象。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可20个。
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来源：市场资讯
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