路芯半导体申请低三维效应掩模吸收层结构专利，提升光刻聚焦精度与图形尺寸控制能力
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2026-06-20 14:48:25
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国家知识产权局信息显示，江苏路芯半导体技术有限公司申请一项名为“一种低三维效应的掩模吸收层结构”的专利，公开号CN122239359A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明属于半导体光刻技术领域，公开了一种低三维效应的掩模吸收层结构，包括石英基板、底抗反射层、吸收层主体及顶抗反射层，底抗反射层沉积于石英基板表面，吸收层主体沉积于底抗反射层背离石英基板的一侧，顶抗反射层沉积于吸收层主体背离底抗反射层的一侧，吸收层主体在XY平面内形成光刻所需的图形化沟槽结构。吸收层主体在垂直于XY平面的Z轴方向上，设置有与图形化沟槽结构的衍射特征匹配的分区调制结构，可调控入射光的光场分布与透射光相位，消除沟槽内的多次反射与相位畸变，降低掩模三维效应的不利影响，提升光刻聚焦精度与图形尺寸控制能力，满足先进制程节点的光刻应用要求。
天眼查资料显示，江苏路芯半导体技术有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本54500万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏路芯半导体技术有限公司参与招投标项目42次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可19个。
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