聚灿光电申请红光micro发光二极管外延片及其制备方法专利，提升Micro红光产品的光电性能
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2026-07-03 18:48:00
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国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法”的专利，公开号CN122340978A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高光效的结构红光Micro LED发光二极管外延片制造方法，属于发光二极管半导体领域。包括衬底和在衬底上依次生长的P型GaAs缓冲层、P型GaInP腐蚀截止层、P型GaAs欧姆接触层、P型GaInP电极牢固层、P型AlGaInP电流扩展层、P型AlInP限制层、P型AlGaInP波导层、P型电子阻挡层、量子阱层、N型AlGaInP波导层、N型AlInP限制层、N型AlGaInP过渡层、N型GaP超晶格扩展层、N型GaP欧姆接触层，通过采用N型和P型掺杂倒置的生长方式，并且N型GaP采用超晶格扩展层即周期性的高温GaP/低温GaP堆叠的复合层的外延结构取代常规的Micro外延结构。本发明通过对外延结构调整优化来提升Micro红光产品的光电性能，有效地解决目前国内外在高光效红光Micro发光二极管的难题。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息255条，此外企业还拥有行政许可44个。
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来源：市场资讯
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