江苏第三代半导体研究院申请氮化物半导体结构专利，提升氮化物LED的发光效率
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2026-09-04 16:53:28
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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“氮化物半导体结构、芯片及制备方法”的专利，公开号CN122699445A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请涉及一种氮化物半导体结构、芯片及制备方法，其中，氮化物半导体结构包括基层结构、多个氮化物发光单元、多个复合插入微结构、透明导电层以及多个金属电极；基层结构沿第一方向生长，多个氮化物发光单元沿第二方向均匀间隔设置于基层结构上，第一方向与第二方向垂直；复合插入微结构设置在相邻两氮化物发光单元之间，复合插入微结构的上表面高于氮化物发光单元的上表面；透明导电层覆盖在氮化物发光单元以及复合插入微结构上；金属电极设置在位于复合插入微结构上的透明导电层上，且金属电极在基层结构上的投影落在复合插入微结构在基层结构上的投影之内。本申请可以提升氮化物LED的发光效率以及亮度。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息440条，此外企业还拥有行政许可11个。
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来源：市场资讯
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