长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”
创始人
2026-09-11 06:49:39
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202310935246.7，授权日为2026年9月4日。
专利摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括目标层、多个下电极以及顶部支撑结构，多个下电极独立设置在目标层上，下电极包括第一电极部和设置在第一电极部上的第二电极部，第二电极部向相邻的下电极之间的空间延伸；顶部支撑结构包括设置在第二电极部之间的第一支撑部以及设置在第二电极部上方的第二支撑部，顶部支撑结构和第二电极部卡扣连接。顶部支撑结构和第二电极部卡扣连接提高了顶部支撑结构对下电极的顶部的支撑力，进而提高了下电极的结构稳定性，降低了下电极倾倒、倒塌、变形的风险，提高了半导体结构的产品良率和产品品质。
今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。
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