长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”
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2026-09-11 07:00:45
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202310871341.5，授权日为2026年9月4日。
专利摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括阵列区，阵列区中包括多个阵列排布的初始有源区和将相邻初始有源区间隔开的隔离结构，阵列区内具有刻蚀停止层，隔离结构贯穿刻蚀停止层；刻蚀隔离结构和初始有源区，直至露出初始有源区下方的刻蚀停止层，以形成字线沟槽，初始有源区被字线沟槽分割为至少两个相邻的有源柱；至少去除字线沟槽底面露出的刻蚀停止层；在字线沟槽底面暴露出的基底上形成外延层，外延层与有源柱的侧面均相接触；对外延层以及有源柱进行重结晶，以形成单晶态的有源区；在字线沟槽内形成字线结构。至少有利于提高字线结构的深度的均一性。
今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。
数据来源：天眼查APP
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