武汉新芯申请MOS器件及其制造方法专利，避免光刻工艺免受光刻技术限制
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2025-06-20 14:38:32
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN120184007A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种MOS器件及其制造方法，所述MOS器件的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的局部形成外延层；形成栅介质材料层，所述栅介质材料层覆盖所述外延层以及所述半导体衬底；在所述栅介质材料层上形成栅导电材料层；对所述栅导电材料层执行无掩膜刻蚀工艺，以在所述外延层侧壁形成栅极；以及，在所述半导体衬底中形成第一源/漏区和第二源/漏区。在半导体衬底的局部形成外延层，通过无掩膜刻蚀工艺在外延层侧壁形成栅极，从而避免了光刻工艺，由此便可免受光刻技术的限制。其中，所述栅极的尺寸可以通过调控在外延层上沉积的栅导电材料层的厚度控制。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目211次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1758条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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