华虹半导体申请改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性方法专利，提高了CMOS器件的阈值电压均匀性_电池问答

华虹半导体申请改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性方法专利，提高了CMOS器件的阈值电压均匀性

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2025-07-14 12:38:48

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金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法”的专利，公开号CN120302707A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请公开了一种改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有阱区；进行第一离子注入工艺，以在所述阱区中形成间距设置的两个轻掺杂漏区，两个所述轻掺杂漏区之间的区域定义为有效沟道区域；进行第二离子注入工艺，以在每个所述轻掺杂漏区靠近有效沟道区域的一侧形成辅助掺杂区域；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述有效沟道区域上方；其中，在所述第二离子注入工艺中，离子注入剂量小于所述第一离子注入工艺，离子注入类型和所述第一离子注入工艺相反。本申请通过上述方案，提高了CMOS器件的阈值电压均匀性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2932次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目909次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

来源：金融界

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