中科光芯申请一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片专利，减小VCSEL的整体的等效电阻
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2025-07-22 20:08:50
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片”的专利，公开号CN120357271A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片。所述制备方法步骤包括：制作外延片，通过外延生长技术获得所需的外延片；制备掩膜，将光刻胶在基板上制作出相应的图案，获得包括第一掩膜和第二掩膜；通过蚀刻的方式将所述第一掩膜上的图案蚀刻到外延片上，获得第一台面；获得第一台面后的VCSEL放入湿法氧化设备中进行氧化；通过蚀刻的方式将所述第二掩膜上的图案蚀刻到VCSEL上，获得第二台面；VCSEL通过蒸镀设置N型电极，通过溅射设置P型电极及P/N欧姆接触。实施例，通过掩膜上的图案结构，将图案蚀刻得到所述P型DBR层，从而获得阶梯结构，使得减小VCSEL的整体的等效电阻，同时提高了散热性，提高芯片的热稳定性和高速调制性能。
天眼查资料显示，深圳市中科光芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1504.43809万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市中科光芯半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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