金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置及存储器装置的制造方法”的专利,公开号CN120166705A,申请日期为2024年06月。
专利摘要显示,本公开涉及存储器装置及存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括:形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构;在延伸穿过层叠结构的开口中形成包含非晶硅的沟道层;将沟道层的第一部分转化为单晶硅;用导电材料掺杂沟道层的第一部分;用导电材料掺杂沟道层的不同于第一部分的第二部分;以及利用导电材料将沟道层的第二部分转化为多晶硅。
来源:金融界