盛吉盛半导体申请优化晶圆边缘电压改善套刻精度方法专利，将晶圆内应力充分释放
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2025-06-18 13:09:22
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司申请一项名为“一种通过优化晶圆边缘电压改善套刻精度的方法”的专利，公开号CN120161688A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开一种通过优化晶圆边缘电压改善套刻精度的方法，属于半导体制造技术领域，所述通过优化晶圆边缘电压改善套刻精度的方法包括在进行光刻工艺前，使用快速热处理设备对晶圆进行热处理；快速热处理设备中具有用于加热晶圆的加热装置，晶圆在快速热处理设备中的位置与加热装置相正对，且加热装置的尺寸大于晶圆的尺寸；加热装置形成有多个加热区域，每一个加热区域中均具有至少一个加热灯。本发明通过改变晶圆最外圈的电压来影响次外圈以及内圈电压之间的关系，即达到热场呈现递减分布的效果，进而将晶圆在前层工艺中所受到的内应力达到充分释放，改善光刻工艺后的OVL问题。
天眼查资料显示，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本28000万人民币。通过天眼查大数据分析，盛吉盛半导体科技（北京）有限公司参与招投标项目24次，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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