成都紫光半导体申请器件漏电分析方法专利，提高测试效率
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2025-06-23 11:09:23
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种器件漏电分析方法”的专利，公开号CN120184138A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种器件漏电分析方法，该方法包括以下步骤：提供待测试CMOS器件结构；所述CMOS器件结构包括形成于同一衬底上的PMOS器件和NMOS器件，所述PMOS器件和NMOS器件通过共栅极连接；所述共栅极上设置有efuse结构；熔断所述共栅极中的多晶硅；对所述PMOS器件和/或所述NMOS器件进行晶圆接受测试。

天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息54条。

来源：金融界

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