唯导（上海）科技申请单光子雪崩二极管器件及其制备方法专利，增加了光子探测效率
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2025-08-04 17:12:51
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，唯导（上海）科技有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管器件及其制备方法”的专利，公开号CN120417519A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种单光子雪崩二极管器件及其制备方法。单光子雪崩二极管器件包括：基底；外延层，位于基底的一侧，外延层具有多个像素区，在自外延层远离基底的一侧靠近基底的方向上，至少一个像素区包括连续设置的第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，第二掺杂区位于第一掺杂区和第三掺杂区之间，且第一掺杂区和第三掺杂区具有第一掺杂类型，第二掺杂区具有第二掺杂类型。通过在外延层内依次设置第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，从而在单光子雪崩二极管器件内形成双雪崩区。此时，当光线射入单光子雪崩二极管器件时，可以触发较大规模的雪崩效应，进而可以产生较强的电信号，从而增加了光子探测效率。
天眼查资料显示，唯导（上海）科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，唯导（上海）科技有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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