中芯国际申请源漏寄生电阻处理相关专利，提高源漏寄生电阻的提取便捷性和可行性
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2025-08-19 15:41:34
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“源漏寄生电阻处理方法、寄生电阻结构及测试结构”的专利，公开号CN120507567A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种源漏寄生电阻处理方法、寄生电阻结构及测试结构，该方法包括：确定所述预设数量个场效应晶体管中的任意一个场效应晶体管，在不同过驱动电压下的第一总电阻；对所述不同过驱动电压和所述不同过驱动电压下的第一总电阻进行线性拟合得到第一测试电阻；确定所述预设数量个场效应晶体管串联时的第二总电阻；对串联的所述预设数量个场效应晶体管的数量和所述第二总电阻进行线性拟合得到第二测试电阻；对所述第一测试电阻和所述第二测试电阻进行源漏寄生电阻分析处理，得到源漏寄生电阻。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可452个。
来源：金融界
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