豪威半导体申请LCOS模组及其形成方法专利，改善水汽的渗透
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2025-08-19 22:12:51
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，豪威半导体（上海）有限责任公司 申请一项名为“LCOS模组及其形成方法”的专利，公开号CN120507922A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明提供一种LCOS模组及其形成方法，包括：LCOS结构、基底、围堰和顶盖玻璃；基底、围堰和顶盖玻璃围合成密封腔体；LCOS结构设置在密封腔体内，LCOS结构底部设置在基底上；LCOS结构包括：相对设置的LCOS基板和玻璃基板，以及液晶层和框胶；液晶层位于LCOS基板与玻璃基板之间；框胶用于贴合LCOS基板与玻璃基板，且框胶包围液晶层。LCOS结构通过框胶一次密封，通过基底、围堰和顶盖玻璃围合成密封腔体进行二次密封，改善水汽的渗透；在提高LCOS模组可靠性的同时又不影响LCOS产品的反射率。
天眼查资料显示，豪威半导体（上海）有限责任公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38300万美元。通过天眼查大数据分析，豪威半导体（上海）有限责任公司参与招投标项目39次，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可124个。
来源：金融界
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