随着快充技术的不断普及与高功率化发展,适配器设计面临着更高的转换效率与更严苛的热管理挑战。为实现更高功率密度与更低损耗,低压MOS选型尤为关键,其在同步整流、VBUS等电路中助力产品高效输出。
近期,充电头网在拆解多款65W~90W PD快充产品中发现,安世半导体旗下多款低导阻MOS器件如PSMN8R7-100YSF、PSMN8R5-100ES与PSMN2R4-30YLD等被广泛采用,已成功进入多家主流快充品牌供应链。

充电头网在持续拆解中发现安世半导体多款耐压30~100V,导阻2.4~8.5mΩ低压MOS打入多家快充品牌供应链,年出货量十分可观。详细信息下文为您详细介绍。

Nexperia安世丝印8F7S10的器件型号为PSMN8R7-100YSF,NMOS,耐压100V,导阻7.2mΩ,采用LFPAK56封装,该器件适合AC-DC\DC-DC中的同步整流器、无刷直流电机控制、USB-PD与移动设备快速充电适配器、LED照明、全桥与半桥应用、反激式和谐振拓扑结构。
充电头网通过拆解了解到,这款器件获派乐藤65W USB-C电源适配器应用。
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Nexperia安世PSMN8R5-100ES是一颗NMOS,耐压100V,导阻8.5mΩ,采用I2PAK封装,该器件适合AC-DC电路、电机控制、服务器电源、同步整流等电路应用。
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安世PSMN2R4-30YLD是一颗耐压30V,导阻2.4mΩ的NMOS,采用LFPAK56封装。该器件适用于服务器和电信设备的板载DC-DC解决方案、电信应用中的次级侧同步整流技术、VRM模块、负载点(POL)模块、电机控制等诸多场景应用。
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Nexperia安世丝印4D2301的低压MOS,在华为华为66W多口超级快充用于VBUS开关管。
应用案例:
1、拆解报告:华为66W多口超级快充拆解
安世半导体低压MOS凭借稳定性能表现以及低导阻特性,已成为PD快充电源设计中可选核心器件之一。从派乐藤65W、惠普90W到华为135W等适配器的拆解案例可见,安世MOS在同步整流与VBUS开关中的表现出色,获一线品牌工程师青睐,证明其在高效能、高可靠性快充领域的竞争力。未来,随着高功率密度PD快充市场规模的持续扩张,安世低压MOS的市场应用潜力将进一步扩大。