江苏鲁汶仪器申请半导体结构的形成及刻蚀腔体清洗专利实现开口侧壁的高陡直度_电池知识

江苏鲁汶仪器申请半导体结构的形成及刻蚀腔体清洗专利实现开口侧壁的高陡直度

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2025-06-27 09:38:32

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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法”的专利，公开号CN120221409A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成多元氧化物层；采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述多元氧化物层，在所述多元氧化层内形成暴露出所述介质层的开口，所述反应离子束刻蚀工艺的主刻蚀气体包括羰基气体和烃基气体中的一种或多种组合。

天眼查资料显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本16631.8311万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鲁汶仪器股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目232次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息446条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界

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