美浦森半导体申请超级结MOSFET制备工艺流程数据库构建方法专利，提高制备工艺的优化效率_电池知识

美浦森半导体申请超级结MOSFET制备工艺流程数据库构建方法专利，提高制备工艺的优化效率

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2025-12-03 11:10:26

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国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法”的专利，公开号CN121051097A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及工艺流程数据库构建技术领域，一种基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法，包括：确认出超级结MOSFET工艺流程知识，根据超级结MOSFET工艺流程知识获取数据库设计规范，建立自动化数据采集接口，根据自动化数据采集接口及数据库设计规范构建数据库框架，确认出待仿真工艺参数集，基于待仿真工艺参数集及数据库框架获取关联数据集，根据关联数据集构建优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型，基于优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型完成基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建。本发明可提高制备工艺的优化效率和数据的一致性。

天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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