华为申请半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备专利，提高栅极的控制能力_电池知识

华为申请半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备专利，提高栅极的控制能力

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2025-12-03 17:36:13

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备”的专利，公开号CN121057258A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备，旨在增加栅极与栅介质层的接触面积，从而提高栅极的控制能力。本申请实施例中提供的半导体结构，栅极包括面向沟道柱侧壁的第一表面、以及与第一表面相邻的第二表面；栅介质层包括相连的第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层位于沟道柱与第一表面之间，第二栅介质层覆盖在第二表面上，增加了栅极与栅介质层的接触面积，从而提高了栅极的控制能力，进而可以提高晶体管的性能。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1597个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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