长江存储申请半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备专利，提升金属布线层上信号通道的布线空间_电池知识

长江存储申请半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备专利，提升金属布线层上信号通道的布线空间

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2025-12-05 12:08:16

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备”的专利，公开号CN 121057219 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于提升金属布线层上信号通道的布线空间。所述半导体结构包括第一导电层、叠层结构、多个沟道结构、多个连接结构和金属布线层。叠层结构设置于第一导电层的第一侧，包括多个交叠设置的栅线层和电介质层。沟道结构位于第一导电层的第一侧，贯穿叠层结构延伸至第一导电层。连接结构位于第一导电层的第一侧，一个连接结构与一个栅线层连接。金属布线层设置于第一导电层的第二侧，包括位于存储区的第一信号线道和位于连接区的第二信号线道。第一信号线道和第二信号线道之间具有间隔结构。该半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1438次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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