美光科技申请用于具有增加密度的微电子装置的电容器及相关方法专利，增加微电子装置的密度
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2025-12-05 12:08:18
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法”的专利，公开号CN 121057230 A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请涉及用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法。一种用于微电子装置的电容器包含第一电极及第二电极。所述第一电极包含：第一基底部分，其在第一层级处；第二基底部分，其在第二层级处；第一基底接触件，其从所述第一基底部分延伸到所述第二基底部分；第一板，其从所述第一基底部分延伸；第二板，其从所述第二基底部分延伸；及电容器板接触件，其从所述第一板延伸到所述第二板。所述第二电极包含：第一基底部分，其形成在所述第一层级处；第二基底部分，其形成在所述第二层级处；第二基底接触件，其从所述第一基底部分延伸到所述第二基底部分；第一板，其从所述第一基底部分延伸；第二板，其从所述第二基底部分延伸；及电容器板接触件，其从所述第一板延伸到所述第二板。还公开额外电容器及相关方法。
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