杭州镓仁半导体申请铸造法晶体生长界面调控方法及装置专利，提升成晶率和晶体质量
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2025-12-06 16:37:29
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国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种铸造法晶体生长界面调控方法及装置”的专利，公开号CN121065806A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种铸造法晶体生长界面调控方法及装置，涉及晶体生长领域，该方法包括获取晶体的生长前数据和生长过程数据；将所述生长前数据和所述生长过程数据输入至训练好的神经网络模型中，得到预测生长界面参数；基于所述预测生长界面参数对晶体的生长界面进行调控。本申请通过机器学习的方式获得晶体生长的最优解，进而实现生长界面的调控，提升成晶率和晶体质量。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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