华虹宏力申请半导体器件及形成方法专利，可形成电阻器件
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2025-12-09 16:07:21
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及形成方法”的专利，公开号CN121099632A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在部分有源区的表面形成栅极，在浅沟槽隔离结构的表面形成多个间隔设置的条状多晶硅，多个条状多晶硅与栅极在第一方向上间隔设置，多个条状多晶硅与栅极均沿着第二方向延伸；形成第一介质层；在第一介质层内形成多个间隔设置的第一接触孔，至少一个第一接触孔位于栅极上，部分第一接触孔分别位于每个条状多晶硅的两端，至少一个第一接触孔穿过浅沟槽隔离结构和埋氧层连通底层硅；形成多个间隔设置的第一金属层，多个第一金属层将条状多晶硅连接，以形成电阻器件，位于栅极上的第一接触孔还通过第一金属层与电阻器件的一端连通，底层硅上的第一接触孔通过第一金属层与电阻器件的另一端连通。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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