国家知识产权局信息显示,苏州炬仁半导体有限公司申请一项名为“一种GaN器件栅极驱动的边沿控制电路”的专利,公开号CN121217113A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本申请提供了一种GaN器件栅极驱动的边沿控制电路,包括非交叠信号产生电路、功率管驱动电路和驱动电流检测电路;非交叠信号产生电路确保在第一PMOS管完全关闭之后,第一NMOS管才会打开,第一NMOS管完全关闭之后第一PMOS管才会打开,第一PMOS管和第一NMOS管彼此的开关信号不存在交叠;驱动电流检测电路检测第一PMOS管打开的时刻,在打开之后开启第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管,并且在输出电压快接近设定电压时,依次分段关断第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管,以控制输出的驱动电流。
天眼查资料显示,苏州炬仁半导体有限公司,成立于2021年,位于苏州市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州炬仁半导体有限公司共对外投资了1家企业,财产线索方面有商标信息1条,专利信息11条,此外企业还拥有行政许可8个。
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来源:市场资讯