中茵微电子申请加快处理天线效应方法专利，提高了芯片设计的可靠性和效率_电池知识

中茵微电子申请加快处理天线效应方法专利，提高了芯片设计的可靠性和效率

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2025-12-27 16:07:15

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国家知识产权局信息显示，中茵微电子（南京）有限公司申请一项名为“一种加快处理天线效应的方法”的专利，公开号CN121215635A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种加快处理天线效应的方法，涉及天线效应处理技术领域。该方法包括：获取半导体器件设计中的金属层信息和工艺规则数据；根据金属层信息和工艺规则数据确定存在天线效应风险的金属区域；针对存在天线效应风险的金属区域，采用自动化脚本生成跳线方案；通过跳线方案调整金属区域的连接层次。本发明通过获取金属层布局数据提取可能存在天线效应的金属线段信息并根据工艺规则进行筛选和分析；针对风险位置自动计算适合跳线的区域并生成优化的跳线策略；通过更新布局数据生成优化后的设计文件并进行验证和必要的调整。本发明实现了天线效应风险的自动检测、优化和验证，提高了芯片设计的可靠性和效率，降低了人工干预的需求。

天眼查资料显示，中茵微电子（南京）有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1466.8176万人民币。通过天眼查大数据分析，中茵微电子（南京）有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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