思瑞浦取得过流保护电路专利，防止输出管电流过大造成芯片烧毁_电池知识

思瑞浦取得过流保护电路专利，防止输出管电流过大造成芯片烧毁

创始人

2026-01-08 10:39:54

0次

国家知识产权局信息显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司取得一项名为“过流保护电路、LDO电路及芯片”的专利，授权公告号CN223770593U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种过流保护电路、LDO电路及芯片，过流保护电路包括镜像模块、第一电流源、比较模块和调节模块。镜像模块与LDO电路的输出管的第二端相连，用于镜像输出管上的电流产生镜像电流。第一电流源用于产生基准电流。比较模块与镜像模块和第一电流源相连，用于对镜像电流和基准电流进行比较产生比较信号。调节模块与比较模块和LDO电路的放大器的输出端相连，用于基于比较信号调节LDO电路的放大器的输出电压。本实用新型的过流保护电路、LDO电路及芯片，利用电流比较的方式，实现过流或是当LDO输出短路时将输出管的输出电流限制在某一固定值的功能，防止输出管电流过大造成芯片烧毁。

天眼查资料显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本13780.1498万人民币。通过天眼查大数据分析，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息317条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电流投资电路芯片模块过流保护专利苏州电流源镜像

上一篇：2026春浙教版八年级数学(下册)电子课本（开学新教材）

下一篇：港股半导体板块走高，华虹半导体涨超5%

思瑞浦取得过流保护电路专利，防止输出管电流过大造成芯片烧毁

相关内容

热门资讯