奥创超磁申请无液氦超导磁体线圈传导冷却结构专利，提升整体降温效率_电池知识

奥创超磁申请无液氦超导磁体线圈传导冷却结构专利，提升整体降温效率

创始人

2026-01-20 21:10:33

0次

国家知识产权局信息显示，成都奥创超磁科技有限公司申请一项名为“一种无液氦超导磁体线圈的传导冷却结构”的专利，公开号CN121355055A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提出了一种无液氦超导磁体线圈的传导冷却结构，涉及超导磁体技术领域。一种无液氦超导磁体线圈的传导冷却结构，包括磁体线圈骨架、磁体线圈主体和线圈导冷组件。上述磁体线圈主体包括多个依次同轴设置的线圈，多个线圈均绕设于上述磁体线圈骨架上。线圈导冷组件包括冷源、主导冷板和多个线圈导冷连接件。上述冷源与上述主导冷板连接，用于与主导冷板热交换降温，上述主导冷板沿上述线圈的轴线方向设置于上述线圈外侧，多个上述线圈导冷连接件的一端均与上述主导冷板连接，多个上述线圈导冷连接件的另一端与多个上述线圈一一对应连接。本发明能够在达到导冷效果，同时能减少导冷耗材，降低成本，减轻重量，从而提升整体降温效率。

天眼查资料显示，成都奥创超磁科技有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本277.7777万人民币。通过天眼查大数据分析，成都奥创超磁科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示成都投资整体线圈主导磁体结构专利冷板连接件

上一篇：康欣新材拟收购宇邦半导体51%股权

下一篇：华星光电申请源极驱动芯片偏置电流调整专利，提升源极驱动芯片的抗干扰能力

奥创超磁申请无液氦超导磁体线圈传导冷却结构专利，提升整体降温效率

相关内容

热门资讯