华为申请横向功率半导体器件专利，能够提高器件的击穿电压
创始人
2026-01-22 09:41:17
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“横向功率半导体器件、芯片及电子设备”的专利，公开号CN121368154A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种横向功率半导体器件、芯片及电子设备，横向功率半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二栅极、第一隔离层和第二隔离层；其中，第一源极、第一栅极、第二栅极以及第一漏极依次排列；第二栅极包括第一栅极区域和第二栅极区域，其中，第二栅极区域相较于第一栅极区域更靠近第一漏极；并且，第一隔离层位于第一栅极区域和衬底之间，第二隔离层位于第二栅极区域和衬底之间；并且，第一隔离层的厚度小于第二隔离层的厚度。因此，上述横向功率半导体器件能够降低栅电荷和比导通电阻产生的损耗，并且还能够提高器件的击穿电压。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。
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来源：市场资讯
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