珠海越芯半导体申请空腔基板及制作方法专利，空腔的底部平整性极佳、深度精度高
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2026-01-22 11:10:31
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国家知识产权局信息显示，珠海越芯半导体有限公司申请一项名为“空腔基板及制作方法”的专利，公开号CN121368402A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开提供一种空腔基板及制作方法，通过将保护胶层贴附于所述核心基板的表面对应于空腔区域的位置，并且所述保护胶层的边缘搭接于核心基板表面的第一线路层的环形线路上，从而能够以所述第一线路层的环形线路为阻挡层，切割空腔区域的外围区域的第一介质层形成环绕所述空腔区域的沟槽；接着在所述第一介质层表面贴附粘性胶带，所述粘性胶带的粘性大于所述保护胶层的粘性；最后，在去除所述粘性胶带时一并去除粘附于所述粘性胶带上的第一介质层和所述保护胶层，形成暴露至少部分所述核心基板表面的第一线路层的空腔。这样的技术方案，无需对整个空腔区域进行烧蚀，不仅能够大幅提高加工效率，而且空腔的底部平整性极佳、深度精度高。
天眼查资料显示，珠海越芯半导体有限公司，成立于2021年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万。通过天眼查大数据分析，珠海越芯半导体有限公司参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可101个。
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来源：市场资讯
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