晶扬电子申请一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法专利，能够实现大幅度减小硅基EMI滤波器的体积_电池知识

晶扬电子申请一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法专利，能够实现大幅度减小硅基EMI滤波器的体积

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2025-07-04 14:38:05

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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法”的专利，公开号CN120263129A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种紧凑型硅基EMI滤波器及其制造方法，包括第一低阻多晶硅层内还设有高阻多晶硅层，第一介质层、第二介质层、第一低阻多晶硅层和高阻多晶硅层能够组成C‑R‑C滤波电路，半导体硅衬底上表面设有与I/O端口一相连的第一金属导电层、与I/O端口二相连的第二金属导电层，半导体硅衬底还设有绝缘钝化层和接地的金属电极GND，第二低阻多晶硅层被绝缘钝化层隔断分为与信号导通部分、与金属电极GND电连接的滤波接地部分、信号导通部分，第一低阻多晶硅层与第二低阻多晶硅层的滤波接地部分之间形成有EMI滤波路径。

天眼查资料显示，深圳市晶扬电子有限公司，成立于2006年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1832.249万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶扬电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界

企业制造方法显示多晶硅低阻深圳市滤波器晶扬专利滤波硅层硅基

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