华为申请具有屏蔽层的半导体功率器件专利,屏蔽功率器件免受衬底电势影响
创始人
2026-02-05 21:14:12
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国家知识产权局信息显示,华为数字能源技术有限公司申请一项名为“具有屏蔽层的半导体功率器件”的专利,公开号CN121464738A,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,本发明涉及一种半导体功率器件(100),所述半导体功率器件(100)包括:半导体衬底(110);过渡层(111),所述过渡层(111)形成于所述半导体衬底(110)上方;氮化镓(Gallium‑Nitride,GaN)沟道层(122),所述GaN沟道层(122)形成于所述过渡层(111)上方;氮化铝镓(Aluminum Gallium‑Nitride,AlGaN)势垒层(130),所述AlGaN势垒层(130)形成于所述GaN沟道层(122)顶上;第一GaN功率器件(102)和第二GaN功率器件(103),所述第一GaN功率器件(102)和所述第二GaN功率器件(103)彼此相邻地形成于所述AlGaN势垒层(130)和所述GaN沟道层(122)中;屏蔽层(101),所述屏蔽层(101)形成于所述GaN沟道层(122)和所述半导体衬底(110)之间,所述屏蔽层(101)用于产生二维空穴气体(2‑dimensional hole gas,2DHG),以屏蔽所述第一GaN功率器件(102)和所述第二GaN功率器件(103),以免受所述半导体衬底(110)的电势影响。

天眼查资料显示,华为数字能源技术有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析,华为数字能源技术有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目295次,财产线索方面有商标信息84条,专利信息4446条,此外企业还拥有行政许可8个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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