北京航天时代光电申请提高铌酸锂电光调制系数全温稳定性的集成光学芯片加工方法专利，完成集成光学芯片端面加工_电池知识

北京航天时代光电申请提高铌酸锂电光调制系数全温稳定性的集成光学芯片加工方法专利，完成集成光学芯片端面加工

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2026-02-17 09:14:19

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国家知识产权局信息显示，北京航天时代光电科技有限公司申请一项名为“一种提高铌酸锂电光调制系数全温稳定性的集成光学芯片加工方法”的专利，公开号CN121514981A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种提高铌酸锂电光调制系数全温稳定性的集成光学芯片加工方法包括S1、集成光学芯片表面涂一层厚度20μm‑30μm的光刻胶，粘接后热固化处理；S2、集成光学芯片待磨抛的两个端面区域采用可去除的热解胶各粘接一条陪片，粘接后UV固化；S3、将各个粘接好陪片的集成光学芯片用热解胶粘接，并UV固化处理；S4、端面加工好后，将组合体浸泡85℃温水去除热解胶，完成集成光学芯片与芯片的分离且陪片与芯片的分离，芯片完全分离后，将芯片常温浸泡丙酮去除表面光刻胶，完成集成光学芯片端面加工。

天眼查资料显示，北京航天时代光电科技有限公司，成立于2008年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本81523.909119万人民币。通过天眼查大数据分析，北京航天时代光电科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目421次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息429条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业调制投资光学芯片集成系数全温端面加工调制系数铌酸锂

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