北一半导体申请嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法专利，将模块寄生电感大幅降低至3‑5nH以下_电池知识

北一半导体申请嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法专利，将模块寄生电感大幅降低至3‑5nH以下

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2026-03-05 11:43:02

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国家知识产权局信息显示，北一半导体科技（广东）有限公司申请一项名为“一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法”的专利，公开号CN121604850A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法，涉及SiC功率模块领域。该嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法包括：嵌入式外壳，嵌入式外壳的内布置有若干个独立腔室，独立腔室嵌入散热底座，散热底座的顶部固定连接AMB衬底，该嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法通过端子的叠层母排设计与AMB衬底上集成的低感平面电路，并结合并行布置的金属箔带实现并联连接的协同设计，将模块寄生电感大幅降低至3‑5nH以下，有效抑制了开关过冲与振荡，提升了EMC性能，通过AMB衬底中的高导热陶瓷绝缘层高效传导至散热底座，AMB衬底凭借其优异的热导率与可靠的电气绝缘性能，显著缩短了热传导路径，有效降低了模块从芯片结区到环境的完整热阻。

天眼查资料显示，北一半导体科技（广东）有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6031.144026万人民币。通过天眼查大数据分析，北一半导体科技（广东）有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业寄生功率投资电感外壳模块导体组装专利衬底 SiC

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