南亚科技申请半导体存储器装置及其制造方法专利，避免容器与容器之间的短路
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2026-03-11 15:13:01
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN121645863A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成容器层间介电层。在容器层间介电层上方形成中间氮化物层。在中间氮化物层上方形成容器氧化物层。将硼、碳、锗和砷中的至少一个离子植入容器氧化物层区域，转化为植入氧化物层。在植入氧化物层上方形成硬遮罩层。将硬遮罩层进行图案化，并使用图案化的该硬遮罩层至少对该植入氧化物层进行干蚀刻。植入氧化物层与容器氧化物层之间具高蚀刻选择性，可降低离子散射效应，达成较小的弧形凹穴深度以避免容器与容器之间的短路。
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来源：市场资讯
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