荣芯半导体申请图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法专利，有助于改善栅介质层的质量_电池知识

荣芯半导体申请图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法专利，有助于改善栅介质层的质量

创始人

2026-03-11 15:15:56

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法”的专利，公开号CN121646029A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法，结构包括依次层叠的第一栅介质层、第二栅介质层与第三栅介质层，其中第一栅介质层为氧化层，第二栅介质层为含氮元素的氧化层，第三栅介质层为氧化层或高介电常数材料层；从下至上第二栅介质层中氮元素的含量逐渐升高。本申请中第一栅介质层与衬底表面直接接触，以保证界面质量，第二栅介质层中氮元素的含量由下至上递增，形成应力梯度，有助于改善栅介质层的质量，减少界面陷阱，降低漏电流和界面缺陷密度，第三栅介质层用于提供整体绝缘并改善可靠性，第一栅介质层、第二栅介质层与第三栅介质层相结合，既保证栅介质层结构的质量与绝缘性能，还降低漏电流和界面缺陷密度，提高可靠性。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息103条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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