京东方华灿光电申请发光二极管及其制作方法专利，提高发光二极管的发光效率
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2026-05-06 06:42:27
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN121941170A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延层、电流阻挡层、透明导电层和第一电极；电流阻挡层位于外延层的表面，透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层；第一透明导电子层包括台阶结构，台阶结构包括相连的台阶顶面、台阶侧壁和台阶底面，台阶顶面覆盖电流阻挡层的表面，台阶侧壁覆盖电流阻挡层的侧壁，台阶底面覆盖电流阻挡层周围的外延层的表面；第二透明导电子层为环形结构，第二透明导电子层位于台阶底面上，且与台阶侧壁紧贴；第一电极位于台阶顶面上，并接触所述第一透明导电子层。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1037条，此外企业还拥有行政许可42个。
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