华虹宏力申请一种高电源抑制比LDO电路专利，能大幅提升电源抑制比
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2026-05-20 02:54:23
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种高电源抑制比LDO电路”的专利，公开号CN122064186A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种高电源抑制比LDO电路，包括：依序连接的电荷泵、偏置电路、RC过滤器、NMOS管(MN0)和稳压器，电荷泵将输入的电源电压VDD抬升后输出电压至偏置电路，偏置电路输出的电压经RC过滤器过滤噪声后作为MN0管的栅压，电源电压VDD经过MN0管后给由PMOS管(MP0)驱动的稳压器供电。使LDO电路可以在较低的电源电压下工作，又能大幅提升电源抑制比。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可448个。
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来源：市场资讯
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