润新微电子取得内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件专利
创始人
2026-05-27 00:04:26
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国家知识产权局信息显示,润新微电子(大连)有限公司取得一项名为“一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件”的专利,授权公告号CN121586287B,申请日期为2026年1月。

天眼查资料显示,润新微电子(大连)有限公司,成立于2016年,位于大连市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析,润新微电子(大连)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目41次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息65条,此外企业还拥有行政许可18个。

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来源:市场资讯

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