长鑫存储取得MOS晶体管栅氧化层电容测试方法专利
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2026-05-27 00:56:42
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国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“MOS晶体管栅氧化层电容的测试方法和测试系统”的专利，授权公告号CN116593851B，申请日期为2023年5月。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目401次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可69个。
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来源：市场资讯
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