徕瑞得申请耐650℃变高温高压LVDT传感器专利，确保传感器能在650℃环境下长期工作
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2026-08-12 22:10:31
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国家知识产权局信息显示，西安徕瑞得机电科技有限公司申请一项名为“一种耐650℃变高温高压LVDT传感器及其制造工艺”的专利，公开号CN122544612A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种耐650℃变高温高压LVDT传感器，包括外壳、绕线骨架、绕组线圈、测杆、测头；绕线骨架安装于外壳的内部，绕组线圈缠绕在绕线骨架的外部，每一层绕组线圈的间隙及表面喷涂有绝缘的无机耐高温粘接剂，相邻绕组线圈层间以及最外层绕组线圈与外壳间隙均覆盖有无机耐高温绝缘薄膜，无机耐高温绝缘薄膜通过无机耐高温粘接剂实现粘接固定；测杆安装于绕线骨架的中空腔内，并能沿轴向移动，测头固定安装于测杆的前端并伸出中空腔外部。本发明的绝缘层彻底摒弃了传统的漆包线和有机胶水，创新性地采用了全无机耐高温绝缘体系，配合耐高温合金导线耐高温引线，从材料上确保了LVDT传感器能够直接在650℃环境下长期工作，且无碳化风险。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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